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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	生命周期状态	底架	表面安装	引脚数	材料	终端数量	晶体管元件材料													Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																									包装	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	子类别	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	参考标准	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	晶体管应用	极性/通道类型	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	信道型	场效应管技术	最大耗散功率(Abs)
IRF460PBF	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	2	SILICON	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	500	±20	21	310@10V	190(Max)@10V	190(Max)	4300@25V	300000	98(Max)	120(Max)	130(Max)	35(Max)	-55	150	通孔	7.74(Max)	25.53(Max)	39.37(Max)	2	Tab	TO-204-AA	TO-3	通孔	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	21 A	5.68	INFINEON TECHNOLOGIES AG	活跃	1	Infineon Technologies AG	ROUND	IRF460PBF	有	150 °C					Compliant	EAR99	8541.29.00.95				Unconfirmed							BOTTOM	PIN/PEG	未说明	compliant	3		O-MBFM-P2		Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL		TO-204AE			0.31 Ω		84 A	500 V	N	1200 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRHG597110	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	14	SILICON	4	100	±20	0.96	13.4(Max)@12V	960@12V	390@25V	1400	90(Max)	17(Max)	40(Max)	21(Max)	-55	150	通孔	3.3(Max)	7.74(Max)	19.3(Max)	14	MO-036AB	MO-036AB	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14	IN-LINE	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHG597110	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	4	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.21	0.96 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement		e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)				其他晶体管	DUAL	THROUGH-HOLE	未说明	unknown	14		R-CDIP-T14	不合格	Quad	增强型MOSFET			SWITCHING	P-CHANNEL		MO-036AB		0.96 A	0.96 Ω			100 V	P		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	1.4 W
IRHMS597160	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	100	±20	45	50@12V	170(Max)@12V	6110@25V	208000	120(Max)	140(Max)	70(Max)	35(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3	FLANGE MOUNT	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	45 A	TO-254AA	7.87	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	Transferred	1	International Rectifier	SQUARE	IRHMS597160	无	150 °C					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95		e0	无	活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)				其他晶体管	SINGLE	PIN/PEG	未说明	compliant	3		S-CSFM-P3	不合格	Single	增强型MOSFET		ISOLATED	SWITCHING	P-CHANNEL		TO-254AA		45 A	0.05 Ω		180 A	100 V	P	480 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	250 W
IRHM57260SESCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	49@12V	80(Max)	35(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	35	165(Max)@12V	5200@25V	208000	50(Max)	125(Max)				Obsolete											3				Single														N
IRHF9130	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	100	±20	6.5	45(Max)@12V	350@12V	1200@25V	25000	70(Max)	50(Max)	70(Max)	30(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔	TO-39, 3 PIN	CYLINDRICAL	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHF9130	ROUND	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.16	6.5 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1		e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)			HIGH RELIABILITY	其他晶体管	BOTTOM	WIRE	未说明	unknown	3		O-CBCY-W3	不合格	Single	增强型MOSFET			SWITCHING	P-CHANNEL		TO-205AF		6.5 A	0.35 Ω		26 A	100 V	P	165 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	25 W		9.22(Max)
JANSF2N7545U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	±20	12.5	45(Max)@12V	205@12V	1372@25V	75000	100(Max)	55(Max)	30(Max)	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	JANSF2N7545U3	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.76	12.5 A					供应商未确认	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100				活跃	EAR99						BOTTOM	无铅		compliant	3	MIL-19500; RH - 300K Rad(Si)	R-CBCC-N3	Qualified	Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	P-CHANNEL					0.205 Ω		50 A	100 V	P	96 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRHNA57260SE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	1	200	±20	53.5	155(Max)@12V	38@12V	6044@25V	250000	50(Max)	125(Max)	80(Max)	35(Max)	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHNA57260SE	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.28	53.5 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement		e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)			HIGH RELIABILITY	FET 通用电源	BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3		R-CBCC-N3	不合格	Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL				55 A	0.038 Ω		214 A	200 V	N	380 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	300 W
IRHF57230SE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	200	±20	6.7	47(Max)@12V	240@12V	1014@25V	25000	40(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔	TO-39, 3 PIN	CYLINDRICAL	METAL	未说明	150 °C	无	IRHF57230SE	ROUND	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.35	6.7 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1		e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)			雪崩额定	FET 通用电源	BOTTOM	WIRE	未说明	unknown	3		O-MBCY-W3	不合格	Single	增强型MOSFET			SWITCHING	N-CHANNEL		TO-205AF		7 A	0.24 Ω		26.8 A	200 V	N	149 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	25 W		9.22(Max)
IRHNA597260	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	102@12V	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	33.5	180(Max)@12V	7170@25V	300000	100(Max)	100(Max)	100(Max)	35(Max)				活跃											3				Single														P
IRHG57110	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	290@12V	17(Max)@12V	370@25V	1400	15(Max)	16(Max)	30(Max)	21(Max)	-55	150	通孔	3.3(Max)	7.74(Max)	19.3(Max)	14	MO-036AB	MO-036AB							不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	4	100	±20	4	1.6	100	10				活跃											14				Quad														N
IRHLF770Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	60	±10	1.6	2.6(Max)@4.5V	[email protected]	152@25V	5000	13(Max)	14(Max)	30(Max)	6.5(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL	METAL	未说明	150 °C	IRHLF770Z4	ROUND	International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC	7.6	BCY	1.6 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1			无	活跃	EAR99				cmos 兼容		BOTTOM	WIRE	未说明	unknown	3		O-MBCY-W3	不合格	Single	增强型MOSFET			SWITCHING	N-CHANNEL		TO-205AF			0.5 Ω			60 V	N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR			9.22(Max)
IRHSLNA57064D	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1								供应商未确认	无	无	60	75	2500000	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2					Preliminary											3																		N
IRHLUC770Z4SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	-55	150	表面贴装	2.03(Max)	6.22(Max)	4.32(Max)	6	LCC	LCC								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	2	60	±10	0.89	3.6(Max)@4.5V	145@25V	1000	12(Max)	15(Max)	30(Max)	8(Max)				活跃											6				Dual														N
JANS DATA-JANSH2N7262	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	364@12V	Military	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔								不合规	3A001.a.1.a	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	5.5	50(Max)@12V	1100@25V	25000	45(Max)	40(Max)	60(Max)	25(Max)	-55	150				Obsolete											3				Single														N					9.22(Max)
IRHY9130CM	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	100	±20	11	45(Max)@12V	350@12V	1200@25V	75000	70(Max)	50(Max)	70(Max)	30(Max)	-55	150	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	150 °C	无	IRHY9130CM	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.16	11 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1		e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)			辐射硬化	其他晶体管	SINGLE	PIN/PEG	未说明	unknown	3		R-MSFM-P3	不合格	Single	增强型MOSFET		ISOLATED	SWITCHING	P-CHANNEL		TO-257AA		11 A	0.35 Ω		44 A	100 V	P	150 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W
IRHNJ7430SE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1770@12V	20(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	4.4	40(Max)@12V	570@25V	75000	60(Max)	65(Max)	60(Max)				活跃											3				Single														N
IRHNJ9130B	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1								供应商未确认	无	无	100	11	750000	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5					活跃											3																		P
IRHNA67264	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	250	±20	50	220@12V	40@12V	6912@25V	250000	50(Max)	150(Max)	100(Max)	50(Max)	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	IRHNA67264	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC	7.79	56 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1		e0	无	活跃	EAR99	锡铅					BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3		R-CBCC-N3	不合格	Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL					0.018 Ω		224 A	150 V	N	283 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JANSF2N7520U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	85@12V	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead								供应商未确认	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	21	45(Max)@12V	1540@25V	75000	50(Max)	65(Max)	75(Max)				活跃											3				Single														P
JANSR2N7422	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	TO-254AA	TO-254-AA	Tab	3	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	通孔	Military	150	-55	85@12V	40(Max)	190(Max)	170(Max)	190(Max)	150000	4300@25V	200(Max)@12V	25	100	22	4	±20	100	1	Enhancement	HEXFET	功率MOSFET	无	无	8541.29.00.95	出口接触方式	不合规	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3	FLANGE MOUNT	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	无	JANSR2N7422	SQUARE	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.34	22 A					通孔		e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)			HIGH RELIABILITY		SINGLE	PIN/PEG	未说明	compliant	3	MIL-19500/662	S-CSFM-P3	Qualified	Single	增强型MOSFET			SWITCHING	P-CHANNEL		TO-254AA			0.085 Ω		88 A	100 V	P	500 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JANSH2N7261	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	185@12V	25	50(Max)@12V	1100@25V	25000	40(Max)	32(Max)	40(Max)	25(Max)	-55	150	Military	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	4	8	100				Obsolete											3				Single														N					9.22(Max)
IRLR7833HR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	4.5@10V			8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	30	±20	140	[email protected]	4010@15V	140000	15	6.9	23	14	-55	175	8541290080	Non-Compliant					卷带			Obsolete															Single														N
JANTX2N6758	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 years ago)	通孔	NO	2	SILICON	TO-204-AA	Tab	2	39.37(Max)	25.53(Max)	7.74(Max)	通孔	Military	150	-55	490@10V	35(Max)	60(Max)	80(Max)	40(Max)	75000	600@25V	39(Max)	39(Max)@10V	9	±20	200	1	Enhancement	HEXFET	功率MOSFET	无	无	8541.29.00.95	EAR99	不合规	8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080	1	Non-Compliant	9 A	5.18	INFINEON TECHNOLOGIES AG	活跃	Infineon Technologies AG	ROUND	JANTX2N6758	无	150 °C	未说明	METAL	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2			通孔	TO-204AE		e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	150 °C	-55 °C	雪崩额定	FET 通用电源	BOTTOM	PIN/PEG	未说明	compliant	3	MIL-19500/542	O-MBFM-P2	Qualified	Single	增强型MOSFET	75 W	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	6 A	TO-204AA	20 V	9 A	0.49 Ω	200 V	36 A	200 V	N	54 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W	400 mΩ	无	含铅
JANSH2N7481U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	60@12V	35(Max)	25(Max)	-55	150	Military	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	22	50(Max)@12V	1005@25V	75000	30(Max)	100(Max)				Obsolete											3				Single														N
JANTXVR2N7465U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1390@12V	无								400	1	Enhancement	无				活跃															Single														N